تفاصيل الوثيقة

نوع الوثيقة : مقال في مؤتمر 
عنوان الوثيقة :
Lasing Output and Threshold Current Density in P-Doped InP/AlGaInP Quantum Dot Laser Diodes
Lasing Output and Threshold Current Density in P-Doped InP/AlGaInP Quantum Dot Laser Diodes
 
الموضوع : physics 
لغة الوثيقة : الانجليزية 
المستخلص : We demonstrate the p-doping effect on lasing output and threshold current density. The lasing wavelength peak became narrower as the doping concentration increases and has a red shift which consistent with optical absorption ground state. 
اسم المؤتمر : 24th IEEE International Semiconductor Laser Conference (ISLC) 
الفترة : من : 07/9/2014 هـ - إلى : 10/07/2014 هـ
من : 07/9/2014 م - إلى : 10/07/2014 م 
سنة النشر : 2014 هـ
2014 م 
عدد الصفحات : 1 
نوع المقالة : مقالة علمية 
مكان الانعقاد : Palma de Mallorca, SPAIN 
الجهة المنظمة : IEEE 
تاريخ الاضافة على الموقع : Thursday, August 3, 2017 

الباحثون

اسم الباحث (عربي)اسم الباحث (انجليزي)نوع الباحثالمرتبة العلميةالبريد الالكتروني
M. S Al-Ghamdi,Al-Ghamdi, M. S[ باحث رئيسيدكتوراهmsalghamdi@kau.edu.sa
P.M SmowtonSmowton, P.M باحث مشاركدكتوراه 
A.B KrysaKrysa, A.B باحث مشاركدكتوراه 

الملفات

اسم الملفالنوعالوصف
 42469.pdf pdf 

الرجوع إلى صفحة الأبحاث