تفاصيل الوثيقة نوع الوثيقة : مقال في مجلة دورية  عنوان الوثيقة : Electrical properties of p-Si/n-ZnO nanowires heterojunction devices Electrical properties of p-Si/n-ZnO nanowires heterojunction devices   الموضوع : فيزياء  لغة الوثيقة : الانجليزية  المستخلص : This paper explores the temperature dependent heterojunction behavior of n-type zinc oxide (ZnO) nanowires/p-Si diodes. The device behavior at different temperatures in forward as well as reverse biased conditions are studied and reported. From the detailed electrical properties, it is confirmed that the fabricated p-n diode showed a good stability over the temperature range of 25-130 °C. The turn-on and breakdown voltage of the device slightly decreases with an increase of temperature whereas the saturation current of the device increases. The effective potential barrier height is found increasing with the increase in temperature. The quality factor is found with and without the consideration of barrier height inhomogenity. The mean potential barrier is also determined. Moreover, a value of activation energy of 53 meV which is close to the exciton binding energy of ZnO, is estimated.  ردمد : 1936-6612  اسم الدورية : Advanced Science Letters  المجلد : 4  العدد : 1  سنة النشر : 1432 هـ 2011 م  نوع المقالة : مقالة علمية  تاريخ الاضافة على الموقع : Saturday, June 16, 2012  الباحثون اسم الباحث (عربي) اسم الباحث (انجليزي) نوع الباحث المرتبة العلمية البريد الالكتروني صالح هديهد الحنيطي Al-Heniti, Saleh H باحث دكتوراه salheniti@kau.edu.sa رشاد إبراهيم بدران Badran, Rashad Ibrahim باحث دكتوراه rbadran_i@yahoo.com أحمد عبدالله الغامدي Al-Ghamdi, Ahmad A باحث دكتوراه AGAMDI@kau.edu.sa فيصل عبدالعزيز العقل Al-Agel, Faisal A باحث دكتوراه fagel@kau.edu.sa الملفات اسم الملف النوع الوصف  33607.pdf pdf Abstract الرجوع إلى صفحة الأبحاث