تفاصيل الوثيقة

نوع الوثيقة : مقال في مجلة دورية 
عنوان الوثيقة :
Study of the switching phenomena of TlGaS2 single crystals
Study of the switching phenomena of TlGaS2 single crystals
 
الموضوع : فيزياء 
لغة الوثيقة : الانجليزية 
المستخلص : Single crystals of TlGaS2 were prepared by a special modified Bridgman technique and used to investigate the switching phenomena. The particular interest shown in switching studies of p-type TlGaS2 compound is associated with the possibility of its uses as an effective switching and memory elements in electronic devices. The switching effect observed in such crystal shows a memory character. Using a crystal holder and cryostat we measured the switching phenomenon at different ambient conditions such as temperature, light illumination as well as sample thickness. Pronounced parameters for switching for sample of thickness 0.17 cm were determined from the experimental data such as threshold voltage Vth = 400 V, threshold current Ith = 37 μA, holding voltage Vh = 350 V, holding current Ih = 42.3 × 10-4 A, threshold power Pth = 1.48 × 10-2 W, threshold field E th = 196.429 V/cm as well as the ratio between the resistance in the off state ROFF to the resistance in the conducting state R ON as 130.253. The factors affecting these parameters have also been investigated. 
ردمد : 0169-4332 
اسم الدورية : Applied Surface Science 
المجلد : 257 
العدد : 8 
سنة النشر : 1432 هـ
2011 م
 
نوع المقالة : مقالة علمية 
تاريخ الاضافة على الموقع : Monday, February 6, 2012 

الباحثون

اسم الباحث (عربي)اسم الباحث (انجليزي)نوع الباحثالمرتبة العلميةالبريد الالكتروني
أحمد عبدالله الغامديAl-Ghamdi, Ahmad AباحثدكتوراهAGAMDI@kau.edu.sa
نجاة توفيق عباسAbbas, Nagat TباحثدكتوراهDr.Nagat@hotmail.com
فاطمة سالم باهبريBahabri, Fatima Sباحثدكتوراهfbahabri@kau.edu.sa
رقية حسين العرينيAl-orainy, Roqaya Hباحثدكتوراهr-aloraina@hotmail.com
صباح عيد القرنيAlgarni, Sabah Eidباحثدكتوراهsabdulah@kau.edu.sa

الملفات

اسم الملفالنوعالوصف
 32185.pdf pdfAbstract

الرجوع إلى صفحة الأبحاث